全球新能源汽车产业正经历一场功率革命：800V高压平台渗透率提高，车规级SiC模块的市场需求增速爆发。

　　在这片被英飞凌、意法半导体等国际巨头长期垄断的赛道上，一家成立仅5年左右的中国新锐企业——利普思，正通过技术创新和规模化生产，逐步提升国产竞争力。

　　2025年3月1日，总投资10亿元的利普思车规级SiC模块项目在江苏江都开发区正式动工。

　　SiC作为第三代半导体材料的代表，因其高击穿电场、高热导率、低导通损耗等优异特性，在新能源汽车、光伏、储能等领域展现出巨大潜力。

　　据了解，该SiC项目占地32亩，项目建成后可实现年产车规级SiC模块300万只，年出售的收益10亿元，年税收5000万元，经济效益显著。

　　利普思在无锡和日本已建成成熟产线。待新项目投产后，将形成SiC模块年产能超360万只的“质”的突破。

　　通过中国长三角与日本地区的产能联动，利普思将构建起辐射整个东亚汽车市场的战略支点体系。

　　随着汽车电气化进程加速，48V电气架构、800V电压平台正成为行业主流配置方案，而作为电驱系统心脏的车规级SiC功率模块，其市场需求呈现爆增态势。

　　面对百亿级市场机遇，利普思通过规模化生产实现降本增效的良性循环。同时，依托长三角地区完善的半导体产业链和新能源汽车产业集群，企业得以实现供应链深度协同，将优势转化为强劲的市场竞争力。

　　尽管车规级SiC模块市场的主要竞争者包括意法半导体、比亚迪半导体、英飞凌等有名的公司，利普思正通过技术创新和规模化生产，正在慢慢地提升其市场竞争力。

　　不过，在全球半导体巨头纷纷布局SiC赛道的背景下，利普思大幅扩充产能，究竟有何制胜法宝?

　　利普思成立于2019年，专注于第三代功率半导体SiC模块的封装设计、制造与销售。

　　公司于2021年先后完成Pre-A轮4000万元融资及近亿元人民币A轮融资;2022年获数千万元A+轮融资;2023年获逾亿元Pre-B轮融资。

　　公司核心产品HPD SiC模块在800V电压平台下峰值功率达250kW，并采用自主专利ArcbondingTM技术。

　　相较传统SiC模块，采用ArcbondingTM技术的HPD SiC模块，具有非常明显优势：更大的电流、更低的导通电阻、更小的寄生电感和热阻，以及更优的开关损耗表现。

　　在技术性能方面，该模块支持6-10个SiC芯片并联，在保持低寄生电阻和电感的同时，兼具优异的动态开关性能。

　　据悉，HPD SiC模块于2024年获得北美知名新能源汽车Tier1项目定点。

　　此外，利普思开发的新一代塑封半桥SiC模块——LPS-Pack系列，采用Pressfit Pin技术实现信号和电流传输，实现SiC on PCB架构，使电流直接通过PCB，明显降低模块和系统的寄生电感，同时减小控制器体积，降低铜排和电容成本。

　　该系列采用新型塑封工艺，Tjmax达200℃。单模块在小于26cm²的面积内可实现300Arms以上的最大电流输出。

　　技术卡脖子：英飞凌、意法半导体等国际巨头持有全球多数SiC核心专利，国内企业需在芯片设计、封装工艺等环节加速突破;

　　成本困局：SiC衬底良率不足导致模块成本居高不下，规模化降本依赖上下游协同;

　　供应链风险：全球SiC衬底产能大部分集中于海外企业，地理政治学波动可能加剧原材料供应不确定性。

　　利普思江都项目的投产，是企业未来的发展征程中的关键一步，更是我国半导体产业在车规级 SiC 领域奋进的生动缩影。这个从无锡起步的企业，用自主专利技术勾勒出国产替代的现实路径。

　　然而，从行业总的来看，利普思所面临的 “技术卡脖子”“成本困局”“供应链风险” 等难题，绝非个别企业的困境，而是整个中国车规级 SiC 产业高质量发展路上的 “拦路虎”。

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